英诺赛科取得一种芯片框架结构以及芯片封装结构专利，避免芯片和封装材料之间产生开裂

本文源自:金融界

金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司取得一项名为“一种芯片框架结构以及芯片封装结构”的专利，授权公告号CN 222168389 U，申请日期为2024年4月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种芯片框架结构以及芯片封装结构。该芯片框架结构包括：基岛，基岛包括第一表面和与第一表面相对设置的第二表面，芯片封装于基岛的第一表面的芯片封装区；多个管脚，多个管脚位于基岛的至少一侧，管脚通过导电线和芯片的焊盘连接；基岛设置有封装内应力减小结构，封装内应力减小结构用于减小芯片和基岛之间的封装内应力，封装内应力减小结构的部分或者全部位于芯片封装区。本实用新型实施例提供的技术方案避免了芯片和封装材料之间产生开裂。